【存储器】揭秘英特尔3d nand flash芯片-凯发k8手机客户端

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最近,intel & richmax举办了一场技术讲解会3d nand technical workshop,intel的技术人员在会上具体揭示了intel 3d nand的计划以及一些技术上的细节。

3d nand flash优势

1)存储密度可以达到现有闪存的三倍以上,未来甚至可以做出10tb以上的2.5寸ssd出来。

2)每单位容量成本将会比现有技术更低,而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度,可靠性和性能会更好。

intel的3d nand flash芯片

在的3d nand时代,intel将推出自己的tlc闪存。不过,无论是tlc还是mlc骑士都是同一块芯片,客人可以根据自己的需求选择闪存是mlc模式还是tlc模式,在mlc模式下每die容量是256gb,而tlc模式下每die容量是384gb。

intel 3d nand目前会使用32层堆叠,电荷存储量和当年的50nm节点产品相当,第二第三代产品依然会保持这样的电荷量,以保证产品的可靠性。intel的3d nand代号是l06b/b0kb。

l06b是mlc产品的代号,采用onfi 4.0标准,die size 32gb,page size 16kb,使用4-plane设计,虽然会带来额外的延时,但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量,闪存寿命是3000 p/e。

b0kb则是tlc产品的代号,由于是同一芯片所以许多东西都是l06b一样,当然容量、性能与寿命什么的肯定不同,die size 48gb,闪存寿命是1500 p/e,由于是tlc所以需要ecc标准是更高的ldpc。

intel 3d nand全部会使用132-ball bga封装,l06b可以从256gb(32gb)到4096gb(512gb)的产品,还可以做出更大容量的ssd。

工作模式

mlc工作的模式有2-pass和1-pass两种编程模式,默认的是2-pass编程模式,第一次编程lower page的数据写入到nand阵列里面,而第二次编程则会把upper page的数据写入。1-pass编程模式的意思当然就是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到nand阵列里面,这样可以节省15%的编程时间,但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些。

tlc的编程算法则要比较复杂,第一步和mlc的一步编程模式相类似,就是直接把lower page与upper page一齐写入到nand阵列里面,第二步则是写入extra page的数据,由于算法复杂,第二部编程时需要对数据进行ecc校验。

上面所说闪存的2-pass mlc、1-pass mlc与tlc工作模式是可以用使用指令随时切换的,这对厂家来说闪存的使用会变得非常灵活,当然产品的用户是不能这样乱改工作模式的。

至于intel的3d nand什么时候会开始供应,今年q3中旬会开始相各个凯发k8手机客户端的合作伙伴提供测试样品,mlc/tlc的都有,2015年q4末开始大规模供货,产品的定价会根据那时的市场情况再决定。

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