【存储器】samsung闪存芯片参数详解 -凯发k8手机客户端

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64m闪存:

k9f6408q0c 8mx8构成,超低电压型,48脚tbga封装,0.15微米制成。

k9f6408u0b 8mx8构成,功耗2.7v~3.6v,44脚tsop封装,0.22微米制成。(已淘汰)

k9f6408u0c 8mx8构成,功耗2.7v~3.6v,44脚tsop封装,0.15微米制成。

128m闪存:

k9f2808q0b 16mx8构成, 超低电压型,63脚tbga封装,0.15微米制成。

k9f2808u0b 16mx8构成, 2.7v~3.6v, 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.15微米制成。

k9f2808u0c 32mx4构成, 2.7v~3.6v, 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.12微米制成。

k9f2816u0c 16mx8构成, 2.7v~3.6v, 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.12微米制成。

256m闪存:

k9f5608u0a 32mx8构成, 2.7v~3.6v, 48脚tsop封装, 0.18微米制成。 (已淘汰)

k9f5608u0b 32mx8构成, 2.7v~3.6v, 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.15微米制成。

k9f5608u0c 32mx8构成, 2.7v~3.6v, 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.12微米制成。

k9f5616u0b 16mx16构成, 2.7v~3.6v, 48脚tsop封装,63脚tbga封装,48脚wsop封装 0.15微米制成。

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