【存储器】cvd简介-凯发k8手机客户端

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cvdchemical vapor deposition,化学气相淀积),是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。

cvd 工艺的特点

1cvd成膜温度较低,可减轻硅片的热形变,抑制缺陷的生成,减轻杂质的再分布,适于制造浅结工艺。设备简单、重复性好。

2、薄膜的成分可精确控制,配比范围大;

3、淀积速率一般高于物理淀积,产能强,厚度范围大;

4、膜的结构完整,与衬底粘附好,台阶覆盖性好;

cvd的分类

1、按温度,有低温(200 ~ 500oc)、中温(500 ~ 1000oc)和高温(1000 ~ 1300oc)cvd       

2、按压力,有常压(apcvd) 和低压(lpcvd)cvd。常压化学汽相淀积(apcvdatmospheric pressure cvd),是指在大气压下进行的一种化学气相淀积的方法,这是化学气相淀积最初所采用的方法。这种工艺所需的系统简单,反应速度快,淀积速率高,特别适于介质淀积,但是它的缺点是均匀性较差,所以,apcvd一般用在厚的介质淀积。低压化学气相淀积(lpcvdlow pressure cvd)是指系统工作在较低的压强下的一种化学气相淀积的方法。lpcvd技术不仅用于制备硅外延层,还广泛用于各种无定形钝化膜及多晶硅薄膜的淀积,是一种重要的薄膜淀积技术。

3、按反应室壁温度,有热壁cvd和冷壁cvd 。热壁是指壁温高于晶片温度,通常是在反应室外采用电阻发热方式透过室壁对晶片进行加热。冷壁是指壁温低于晶片温度,可采用射频感应或电阻发热方式在反应室内对基座进行加热。  

4、按反应激活方式,有等离子激活 (pecvd) 、热激活和紫外光激活等。等离子体增强化学气相淀积(pecvdplasma enhanced cvd)是指采用高频等离子体驱动的一种气相淀积技术,是一种射频辉光放电的物理过程和化学反应相结合的技术。该气相淀积的方法可以在非常低的衬底温度下淀积薄膜,例如在铝(a1)上淀积si02,工艺上等离子体增强化学气相淀积主要用于淀积绝缘层。      

5、按气流方向,有卧式cvd 和立式cvd

cvd的工艺应用:

1cvd工艺可生长介质膜、半导体膜、导体膜以及超导膜;

2、在ic生产制造过程中,我们主要运用cvd工艺生长介质膜,半导体膜、导体膜。

化学气相沉积作为一种非常有效的材料表面改性方法,在很多领域得到应用,在集成电路工艺中,通过cvd技术淀积的薄膜有重要的用途,主要广泛应用于多晶硅、绝缘介质和金属薄膜的制备等。

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