存储器原理、存储器知识库-凯发k8手机客户端

…而通用闪存usf(universal flash storage),被视为替代emmc的一种nand flash新接口标准,主要用在智能手机及平板电脑等智能移动装置上,未来或将成为嵌入式存储媒体的主要应用标准之一。

fram(ferromagnetic random access memory),铁电随机存取存储器。fram由麻省理工学院首次提出,利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储,使其铁电存储产品同时拥有随机存储器和非易失性存储器的特性。fram存储器的优点是可在失去电力的情况下,资料毫不受损,且写入速度极快,重复写入的次数高,几乎是无限次数,可大量取代eeprom应用;其缺点为fram存储器的价格仍是大幅高于eeprom约2~3倍之多。

顾名思义,tlc ssd是搭载tlc型nand flash芯片的ssd,因tlc闪存的寿命、耐久度、稳定性等天生缺陷,过去只能用于随身碟,快闪记忆卡等。第一款tlc ssd产品是由三星在2012年10月推出,饱受争议,而随着主控和固件技术的不断演进,各厂商都在尝试着生产tlc ssd。相信不久的将来,tlc ssd将崛起于中低阶市场。

jedec固态技术协会于2014年8月26日发布了新一代低功耗内存标准lpddr4(low power double data rate 4),规范编号“jesd209-4”。

英特尔将于2014年下半年推出支持ddr4的haswell-e x99芯片组,这将会是更新、更快的内存颗粒标准,不但会提升50%的内存带宽(memory bandwidth),也会降低30%的功耗,届时新的主板都将会采用此芯片组。

东芝旗下的半导体&存储产品公司宣布,启动符合jedec ufs 2.0版本标准的32gb和64gb嵌入式nand闪存模块的样品出货,东芝此举为业内首例。这两种模块还集成了ufs 2.0版本的可选功能——5.8gbps高速mipi® m-phy® hs-g3 i/f,并实现了超高性能,包括650mb/s的读取速度和180mb/s的写入速度。

混合立方体记忆体(hybrid memory cube;hmc)是属于同构型记忆体3d ic堆栈技术,由美系记忆体大厂美光(micron)主导研发,后来三星电子(samsung electronics)、ibm等大厂也先后加入。目前美光已推出hmc产品,由于成本较高,因此初期是导入绘图卡应用、超级计算机、服务器、网络设备等高单价的市场应用为主。

< 23456......39>
网站地图