传sk海力士与台积电谈ai芯片联盟,合作开发hbm4-凯发k8手机客户端

来源:全球半导体观察    原作者:竹子    

据韩国每日经济消息,sk海力士近日制定了"一个团队战略",其中包括与台积电合作开发第六代hbm芯片(hbm4)。据悉,台积电将负责部分hbm4的工艺制造——极有可能是封装工艺,以提升产品兼容性。 sk海力士表示 “对此公司无法评论”。

据悉,hbm(highbandwidthmemory,高宽带内存)的优势是可以将专用数据处理器直接集成在dram中,将部分数据计算工作从主机处理器转移到存储器当中,从而满足ai芯片训练的高宽带要求,因而hbm也被认为是加速下一代ai技术发展的领先存储技术。相较于前三代hbm,hbm4拟更新为更宽的2048位内存接口,以解决此前1024位内存接口"宽但慢"的问题,这就需要台积电的先进封装技术来验证hbm4的布局和速度。

目前,hbm市场呈现sk海力士、三星、美光"三足鼎立"的局面。

据trendforce集邦咨询hbm市场研究显示,为了更妥善且健全的供应链管理,nvidia也规划加入更多的hbm供应商,其中三星(samsung)的hbm3(24gb)预期于2023年12月在nvidia完成验证。美光(micron)已于2023年7月底提供8hi(24gb)nvidia样品、三星则于2023年10月初提供8hi(24gb)样品。由于hbm验证过程繁琐,预计耗时两个季度,因此,trendforce集邦咨询预期,最快在2023年底可望取得部分厂商的hbm3e验证结果,而三大原厂均预计于2024年第一季完成验证。值得注意的是,各原厂的hbm3e验证结果,也将决定最终nvidia2024年在hbm供应商的采购权重分配,然目前验证皆尚未完成,因此2024年hbm整体采购量仍有待观察。

此前,sk海力士拟扩大其hbm的生产设施投资,以应对高性能ai产品需求的增加。公司计划,对通过硅通孔(tsv)相关的设施投资将比2023年增加一倍以上,力图将产能翻倍,并计划在2024年上半年开始生产其第五代高带宽内存产品hbm3e。在其今年发布的最新财报中,sk海力士表示,公司在筹备支持hbm3e方面稳步地取得进展,将推进大规模生产hbm3e,正处于开发下一代hbm4产品的正轨之上。

封面图片来源:拍信网

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